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长江存储底量产64层3D闪存:与三星差距大大缩短至三年

2019-03-27 14:54:22 来源:未知
我们知道国内一直希望能够生产出国产内存出来,甚至花巨资成立了三大内存基地,希望能够崛起,打破国外的垄断。

近日,传来好消息,那就是该公司联席CTO程卫华表示今年底量产64层堆栈的3D NAND闪存,而在去年他们已经量产了32层堆栈的3D NAND闪存。

而有关于NAND闪存目前最先进的技术在三星,2016年底三星就量产了64层堆栈NAND闪存,2018年推出五代V-NAND闪存,相当于96层堆栈技术,目前在研发QLC等技术。而根据长江存储的计划,96层堆栈的3D NAND闪存要跳过去,在2020年直接量产128层堆栈闪存,这就意味着国产内存离三星的差距或在3年左右。

同时,在闪存价格不断下探的2019年,长江存储的入局将进一步加剧竞争态势,使得价格争夺更猛烈。

对于这样的新面孔,美光执行副总裁Sumit Sadana最近表示,他和公司密切关注中国存储新星的动态。不过,他同时指出,无论品质还是良率,新企业还有很大的提升空间,包括满足客户的各种需求。

Sadana认为,位列前茅的闪存企业不会被赶出市场,但会否进一步整合则有待观察。

虽然长江入局的这一年并非闪存初于高位,利润率或将受损,但外界预计,中方客户们可能会非常乐意采购长江存储的产品,在总需求没有显著改善的情况下也就意味着,逐步减少对国外品牌的依赖。

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